Samsung SSD 860 Evo 2,5 1TB SATA III

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Hersteller:
Kategorie: Festplatte SSD intern
Artikelnummer: 368188
Breite (mm)‍: 100
Gewicht (g)‍: 51
Höhe (mm)‍: 69,85
Tiefe (mm)‍: 6,8
Schnittstelle‍: SATA 6 GBit/s
NAND-Typ‍: MLC
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit (MB/s)‍: 550
Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit (MB/s)‍: 520
Speicherart‍: SSD
Speicherkapazität (GB)‍: 1000
Formfaktor‍: 2,5 Zoll
Random Lesegeschwindigkeit (IOPS)‍: 98000
Random Schreibgeschwindigkeit (IOPS)‍: 90.000
Feature1‍: ssd
Feature2‍: nand-mlc
Artikelgewicht‍: 0,11 Kg

Eine SSD, der man vertrauen kann

Das Laufwerk der Samsung SSD 860 Evo wurde speziell für Notebooks und PCs konzipiert, basiert auf V-NAND Speichertechnologie und einem auf die Verarbeitung spezieller Algorithmen optimierten Controller. Dieses SSD-Modell bietet dadurch eine sehr hohe Leistung und ist in verschiedenen Kapazitäten und Formfaktoren erhältlich.

Hervorragende Leistung
Die 860 Evo Serie bietet auch unter hohen Arbeitslasten und Multitasking-Szenarien ein konsistenteres Leistungsprofil im Vergleich zu den Vorgängermodellen dieser Serie. Die Samsung SSD 860 Evo schreibt Dank TurboWrite-Technologie mit bis zu 520 MB/s und liest Daten mit bis zu 550 MB/s. Im Vergleich den Vorgängermodellen dieser Serie wurde die Kapazität des TurboWrite-Puffers bei den Spitzenmodellen von 12 GB auf 78 GB vergrößert, so dass auch Schreiboperationen von sehr großen Dateien mit hoher Performance durchgeführt werden können.

Smart und kompatibel
Profitieren Sie von einer schnellen, verzögerungsarmen Datenkommunikation zwischen Ihrer SSD und Ihrem System. Die ECC-Algorithmen des MJX-Controllers sorgen für hohe Performance auch unter stark wechselnden Arbeitslasten, und die Einstellungen im Bereich Queued Trim sorgen für große Linux-Kompatibilität. Die SSD 860 Evo bietet damit eine sehr hohe Kompatibilität zu verschiedenen Computersystemen.

Eigenschaften:

  • Formfaktor: 2,5''
  • Schnittstelle: SATA 6 Gb/s (abwärtskompatibel zu SATA 3 Gb/s und SATA 1,5 Gb/s)
  • NAND Type: Samsung V-NAND 3 Bit MLC
  • Cache-Speicher: Samsung 512 MB Low Power DDR4-SDRAM
  • Sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeit: Bis zu 550/520 MB/s
  • Zufällige Lese-/Schreibgeschwindigkeit: Bis zu 98.000/90.000 IOPS (bei 4KB, QD32); bis zu 10.000/42.000 IOPS (bei 4KB, QD1)
  • Weitere Eigenschaften: TRIM-Unterstützung, S.M.A.R.T.-Unterstützung, Automatischer Garbage Collection Algorithmus, AES 256 Bit Verschlüsselung, WWN-Unterstützung, Device Sleep Mode Unterstützung

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